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光の力を広げる

高効率 N-TOPCon モジュール

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弘元新たなTOPCon電池技術

弘元TOPCon電池の採用

  • 新しいPECVDポリ蒸着技術
  • 高効率選択性エミッタ接合技術
  • 多層誘電体膜構造技術

    • 弘元TOPCON

    電池効率と性能向上

    • 電池の開放電圧と短絡電流を高める
    • 精密制御膜厚とリンドーピング濃度
    • 電流密度の向上
    • 堆積時間を減らす
    • 背面反射率の最適化
    • 耐PID性能の向上
    • マルチホームグリッド設計により遮蔽が少ない
    • 電流伝達距離を短縮する
    • 直列抵抗低減、微細グリッド銀ペースト消費量低減
    • 電池の隠れ割れ、グリッド切れ、破裂許容度を高める

    もっと低い減衰, もっと高い質

    従来のPERCモジュール比べて、弘元HTシリーズN型モジュールは15年間の材料/プロセス品質保証を持ってあり、 30年間のライン特性電力品質保証を持っています。初年度の減衰は1%まで減少し、年度の減衰は0.4%未満で、30年後の出力電力が元の出力電力の87.40%を以外であることを保証します。

    HTモジュールの優位性

  • 01

    弘元の新しいTOPCon電池技術

    弘元グリーンエネルギーTOPCon電池は新しいPECVDポリ堆積技術、高効率選択性発光接合技術と多層誘電体膜構造技術を採用し、これらの技術革新は直列抵抗と細格子銀スラリー消費量を効果的に低減し、電池の隠れ割れ、切れ格子、破裂の許容度を高め、 TOPCon電池の効率と性能を向上させます。

  • 02

    多元化モジュール·フィットデザイン

    モジュール電気パラメータ、重量などの性能をバランスをとり、システムインストール設計の互換性を高め、異なるシーン·モジュール応用ソリューションを提供します。54、60、66、72、78など多様なフィットデザインを導入します。

  • 03

    SMBCオーバーレイハーフチップ技術

    SMBC技術モジュール、主ゲート間隔を最大限に最適化し、電流横伝送路を短縮し、直列抵抗を効果的に低減し、ゲート線電流収集能力を向上させ、大幅に微小隠れ割れによる電力損失を低減し、電力は5 BBより1.5%以上向上し、モジュール効率はより高く、運転はより信頼性が高く、発電所の発電量を保障し、発電所の安定収益を効果的に保障しました。

  • 04

    ロスレスカット技術

    電池のロスレス低温レーザーカット技術を採用し、熱膨張冷縮の原理を結合して、熱応力の発生を誘発してシリコンシートを破断させ、電池破断面は滑らかで微細クラックがなく、効率が高く、汚染が少ないという利点を兼ね備えています。電池の物理的欠陥を低減し、電池の曲げ強度を高め、破片率を低減し、完成品部品の機械的性能を保障し、隠れ割れリスクを低減させ、製品の良率と信頼性を向上させました。

  • 05

    高密度パッケージ技術

    一体化セグメント溶接帯技術を応用し、溶接帯を成形した後、アニールにより内部応力を除去し、製品の良率を向上させ、隠れ割れ問題を効果的に減少させ、製品の信頼性を強化する。同時に電池シートのマクロ相互接続を実現し、シート間隔を従来の2.0 mmから0.8 mmに短縮させて、モジュールの有効発電面積を高め、モジュールの効率を高めます。

  • 06

    もっと高い両面率

    背面膜層構造とグリッド線設計を最適化することにより、弘元HTシリーズモジュールは両面率が80%~85%と高く、PERCモジュールに対して10%以上向上し、両面発電の応用シーンにおいて、理論式に基づいて計算し、TOPConモジュールは標準状況および平均地上反射条件の下で、TOPConモジュールはPERCに対して2%前後の背面発電利得を持っています。

  • 07

    もっと低い温度係数

    高い開放電圧特性を持つTOPcon電池を採用することで、モジュールの温度感受性を効果的に低減し、モジュールの電力温度係数が-0.29%/℃にすぎず、より高い発電収益を実現し、発電所の収益率を向上させることができます。

  • 08

    もっと強い弱光性能

    HTモジュールの電池の優れた内部抵抗設計のため、電池はより高い少子寿命と開放電圧を持ち、弱い光に対するモジュールの対応能力がより強いです。特に600W/㎡以下の弱光表現は対照的であり、発電所の朝夕発電時間を1H程度延長して発電所の収益時間を十分に保証し、従来のPERC製品に比べて総合発電利得は0.2%程度です。

  • 09

    もっと低い減衰

    電池はリンドープシリコンウェーハをベースにB-0複合体による光至誘導減衰LID（Light induced Degradation）がなく、N型シリコンウェーハは少子寿命がもっと長く、金属汚染に対する耐性が高く、電池はより低いLETID性能を持っています。モジュール製品のパフォーマンスはより安定しており、初年度の減衰と年間の減衰がより低いです。

  • 10

    もっと低いLCOE

    低減衰、低電力温度係数、高両面率、高弱光応答性により、発電量向上を実現します。

    • HTシリーズ製品

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